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250A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY2,447.060 (CNY2,765.1778) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 250A | 1.2kV | 5810µohm | Module | 15V | 4.5V | - | 150°C | CoolSiC C | |||||
每个 | 1+ CNY7,336.190 (CNY8,289.8947) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 250A | 1.7kV | - | Module | - | 4V | 1.8kW | 150°C | - | |||||
