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FF6MR12KM1BOSA1
碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module
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产品概述
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技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
250A
漏源接通状态电阻
0.00581ohm
针脚数
-
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
-
产品范围
CoolSiC C
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hungary
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hungary
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.348888