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Infineon公司的CoolSiC™MOSFET是一款先进的解决方案, 可将设计增强至更高的效率与功率密度水平. 与传统的硅开关 (如IGBT和MOSFET)相比, SiC MOSFET具有以下优点: 1200V开关中低栅极电荷与器件电容, 内部换阻体二极管无反向恢复损耗, 无关温度条件的低开关损耗, 无阈值导通特性. CoolSiC™MOSFET的TO-247-4引脚封装包含一条与源极的连接, 用作栅极驱动电压的参考电位, 从而消除电源电压下降的影响. 开关损耗比TO247-3 pin更低, 特别是在更高的电流与更高的开关频率下. Easy1B模块 (EasyDUAL™)具有非常好的热接口, 低杂散电感, 坚固耐用的设计以及PressFIT连接.

• CoolSiC™是首款针对光伏逆变器, 电池充电与储能的产品
• 卓越的栅氧化层可靠性
• 同类里最佳的开关和传导损耗
• IGBT兼容驱动 (+15V), 阈值电压Vth=4V, 短路稳健性
• 提高效率并降低冷却需求
• 降低结温, 延长使用寿命, 提高可靠性
• 允许更高频率的运作, 以降低系统成本
• 2级拓扑可以替代3级, 而效率相同, 从而降低复杂性和成本
• 允许增加功率密度, 易于设计和实施
• 非常适合硬开关和谐振开关拓扑, 例如LLC和ZVS等

应用

电源管理, 工业, 医用

警告

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