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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（整卷供应） 整卷 包装选项 | 1000+ CNY88.220 (CNY99.6886)3000+ CNY77.190 (CNY87.2247) | 最少：1000 / 多个：1000 | 单 | N通道 | 60A | 650V | 0.0393ohm | H2PAK | 7引脚 | 18V | 4.2V | 300W | 175°C | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY116.870 (CNY132.0631)10+ CNY102.970 (CNY116.3561)50+ CNY95.100 (CNY107.463)200+ CNY93.200 (CNY105.316)500+ CNY91.290 (CNY103.1577) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 60A | 650V | 0.0393ohm | H2PAK | 7引脚 | 18V | 4.2V | 300W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY110.860 (CNY125.2718)5+ CNY106.000 (CNY119.780)10+ CNY101.140 (CNY114.2882)50+ CNY96.280 (CNY108.7964)100+ CNY91.420 (CNY103.3046)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 60A | 650V | 0.0393ohm | HiP247 | 4引脚 | 18V | 4.2V | 313W | 200°C | |||||
