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SCT027W65G3-4AG
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, HiP247
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|---|---|
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| 5+ | CNY103.510 (CNY116.9663) |
| 10+ | CNY90.330 (CNY102.0729) |
| 50+ | CNY88.460 (CNY99.9598) |
| 100+ | CNY86.580 (CNY97.8354) |
| 250+ | CNY84.700 (CNY95.711) |
包装规格：每个
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多件: 1
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
60A
漏源接通状态电阻
0.0393ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
313W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001