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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY756.700 (CNY855.071)5+ CNY713.360 (CNY806.0968)10+ CNY670.020 (CNY757.1226)50+ CNY656.630 (CNY741.9919) | 最少：1 / 多个：1 | FourPack | 四N沟道 | 30A | 1.2kV | 0.042ohm | 22引脚 | 20V | 2.81V | 74W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY1,624.510 (CNY1,835.6963)5+ CNY1,421.450 (CNY1,606.2385)10+ CNY1,177.770 (CNY1,330.8801) | 最少：1 / 多个：1 | FourPack | 四N沟道 | 51A | 1.2kV | 0.02ohm | 22引脚 | 20V | 2.81V | 119W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY1,213.750 (CNY1,371.5375)5+ CNY1,062.040 (CNY1,200.1052)10+ CNY879.970 (CNY994.3661) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 51A | 1.2kV | 0.02ohm | 18引脚 | 20V | 2.81V | 119W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY677.400 (CNY765.462)5+ CNY606.510 (CNY685.3563)10+ CNY535.620 (CNY605.2506)50+ CNY514.340 (CNY581.2042) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 30A | 1.2kV | 0.042ohm | 18引脚 | 20V | 2.81V | 74W | 175°C | |||||
