打印页面
NXH020F120MNF1PTG
碳化硅MOSFET, FourPack, 四N沟道, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module
28 有货
需要更多？
28 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY1,624.510 (CNY1,835.6963) |
| 5+ | CNY1,421.450 (CNY1,606.2385) |
| 10+ | CNY1,177.770 (CNY1,330.8801) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY1,624.51 (CNY1,835.70 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH020F120MNF1PTG
库存编号3929798
技术数据表
MOSFET模块配置FourPack
通道类型四N沟道
电流, Id 连续51A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.02ohm
针脚数22引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.81V
功率耗散119W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
FourPack
电流, Id 连续
51A
漏源接通状态电阻
0.02ohm
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
119W
产品范围
-
通道类型
四N沟道
漏源电压, Vds
1.2kV
针脚数
22引脚
阈值栅源电压最大值
2.81V
工作温度最高值
175°C
技术文档 (1)
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.09