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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY1,462.110 (CNY1,652.1843)5+ CNY1,302.630 (CNY1,471.9719)10+ CNY1,143.140 (CNY1,291.7482)50+ CNY685.640 (CNY774.7732) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 1.2kV | 0.0223ohm | TO-247 | 3引脚 | 18V | 4V | 340W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY639.950 (CNY723.1435)5+ CNY570.160 (CNY644.2808)10+ CNY500.370 (CNY565.4181)50+ CNY400.240 (CNY452.2712)100+ CNY300.120 (CNY339.1356) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 1.2kV | 0.0223ohm | TO-247 | 4引脚 | 18V | 4V | 340W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY1,462.190 (CNY1,652.2747)5+ CNY1,302.670 (CNY1,472.0171)10+ CNY1,143.140 (CNY1,291.7482)50+ CNY685.640 (CNY774.7732) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 120A | 1.2kV | 0.0223ohm | TO-247 | 4引脚 | 18V | 4V | 340W | 175°C | |||||
