碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
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单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY82.440 (CNY93.1572)50+ CNY81.920 (CNY92.5696)100+ CNY68.550 (CNY77.4615)250+ CNY67.180 (CNY75.9134) | 最少:10 / 多个:1 | 单 | N通道 | 87A | 1.2kV | 0.0216ohm | TO-263HV | 7引脚 | 18V | 5.1V | 385W | 175°C | CoolSiC Gen 2 Series | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY115.520 (CNY130.5376)5+ CNY98.990 (CNY111.8587)10+ CNY82.440 (CNY93.1572)50+ CNY81.920 (CNY92.5696)100+ CNY68.550 (CNY77.4615)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 87A | 1.2kV | 0.0216ohm | TO-263HV | 7引脚 | 18V | 5.1V | 385W | 175°C | CoolSiC Gen 2 Series | |||||
每个 | 1+ CNY214.300 (CNY242.159)5+ CNY206.990 (CNY233.8987)10+ CNY199.680 (CNY225.6384)50+ CNY192.380 (CNY217.3894)100+ CNY185.060 (CNY209.1178) | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 53A | 1.2kV | 23mohm | TO-247 | 4引脚 | 12V | 6V | 385W | 175°C | - | |||||
每个 | 1+ CNY129.410 (CNY146.2333)5+ CNY115.240 (CNY130.2212)10+ CNY101.070 (CNY114.2091)50+ CNY99.050 (CNY111.9265)100+ CNY98.210 (CNY110.9773)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 81A | 750V | 18mohm | TO-247 | 3引脚 | 12V | 6V | 385W | 175°C | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY159.460 (CNY180.1898)5+ CNY138.810 (CNY156.8553)10+ CNY118.160 (CNY133.5208)50+ CNY117.890 (CNY133.2157)100+ CNY117.610 (CNY132.8993)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 55A | 650V | 0.027ohm | H2PAK | 7引脚 | 18V | 4.2V | 385W | 175°C | - | |||||
每个 | 1+ CNY177.560 (CNY200.6428)5+ CNY157.920 (CNY178.4496)10+ CNY138.290 (CNY156.2677)50+ CNY132.170 (CNY149.3521)100+ CNY126.050 (CNY142.4365)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 81A | 750V | 18mohm | TO-247 | 4引脚 | 12V | 6V | 385W | 175°C | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY118.160 (CNY133.5208)50+ CNY117.890 (CNY133.2157)100+ CNY117.610 (CNY132.8993)250+ CNY115.240 (CNY130.2212) | 最少:10 / 多个:1 | 单 | N通道 | 55A | 650V | 0.027ohm | H2PAK | 7引脚 | 18V | 4.2V | 385W | 175°C | - |