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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY3,696.940 (CNY4,177.5422) | 最少：1 / 多个：1 | 斩波器 | N通道 | 180A | 1.2kV | Module | 5.6V | 880W | 150°C | |||||
每个 | 1+ CNY4,284.460 (CNY4,841.4398) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 180A | 1.2kV | Module | 5.6V | 880W | 150°C | |||||
