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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI | 单件（整卷供应） 整卷 包装选项 | 3000+ CNY85.790 (CNY96.9427)9000+ CNY75.060 (CNY84.8178) | 最少：3000 / 多个：3000 | - | N Channel | 55A | - | - | TDFN | - | 18V | 4.3V | 187W | - | - | ||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY137.220 (CNY155.0586)10+ CNY102.680 (CNY116.0284)100+ CNY88.950 (CNY100.5135)500+ CNY87.170 (CNY98.5021) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 39A | 650V | 0.033ohm | TDFN | 4引脚 | 18V | 4.3V | 187W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 10+ CNY102.680 (CNY116.0284)100+ CNY88.950 (CNY100.5135)500+ CNY87.170 (CNY98.5021) | 最少：10 / 多个：1 | 单 | N通道 | 39A | 650V | 0.033ohm | TDFN | 4引脚 | 18V | 4.3V | 187W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
