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IXFK420N10T
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 420 A, 0.0026 ohm, TO-264, 通孔
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| 5+ | CNY131.990 (CNY149.1487) |
| 10+ | CNY125.590 (CNY141.9167) |
| 50+ | CNY119.190 (CNY134.6847) |
| 100+ | CNY112.790 (CNY127.4527) |
| 250+ | CNY106.390 (CNY120.2207) |
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产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode GigaMOS™ Trench HiPerFET™ power MOSFET. It is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
420A
晶体管封装类型
TO-264
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.67kW
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0026ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001