单MOSFET:
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工程师
制造商
通道类型
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
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单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY42.050 (CNY47.5165)10+ CNY31.960 (CNY36.1148)100+ CNY24.980 (CNY28.2274) | 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 650V | 31.2A | 0.11ohm | TO-263 (D2PAK) | 表面安装 | 10V | 4V | 277.8mW | 3引脚 | 150°C | CoolMOS CFDA | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY24.980 (CNY28.2274) | 最少:100 / 多个:1 | N通道 | 650V | 31.2A | 0.11ohm | TO-263 (D2PAK) | 表面安装 | 10V | 4V | 277.8mW | 3引脚 | 150°C | CoolMOS CFDA |