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IPB65R110CFDAATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB65R110CFDAATMA1
库存编号2726046
产品范围CoolMOS CFDA
也称为IPB65R110CFDA, SP000896402
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续31.2A
漏源接通状态电阻0.11ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散277.8mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS CFDA
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
650V CoolMOS™ CFDA power transistor a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs.
- Designed according to the superjunction (SJ) principle
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and EOSS
- Easy to use/drive
- Qualified according to AEC Q101
- Designed for switching applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
31.2A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
277.8mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.11ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS CFDA
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002