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SI7414DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 5.6 A, 0.025 ohm, 1212, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 10+ | CNY11.860 (CNY13.4018) |
| 100+ | CNY8.790 (CNY9.9327) |
| 500+ | CNY7.210 (CNY8.1473) |
| 1000+ | CNY6.020 (CNY6.8026) |
| 5000+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
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多件: 1
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.6A
晶体管封装类型
1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
8引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002