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IXBH42N170
IGBT, 80 A, 2.8 V, 360 W, 1.7 kV, TO-247, 3 引脚
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| 5+ | CNY218.350 (CNY246.7355) |
| 10+ | CNY180.920 (CNY204.4396) |
| 50+ | CNY162.200 (CNY183.286) |
| 100+ | CNY149.720 (CNY169.1836) |
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产品信息
制造商产品编号IXBH42N170
库存编号3438361
产品范围BIMOSFET
技术数据表
连续集电极电流80A
集电极-发射极饱和电压2.8V
功率耗散360W
最大集电极发射电压1.7kV
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装通孔
产品范围BIMOSFET
SVHC(高度关注物质)No SVHC (12-Jan-2017)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
连续集电极电流
80A
功率耗散
360W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
150°C
产品范围
BIMOSFET
集电极-发射极饱和电压
2.8V
最大集电极发射电压
1.7kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (12-Jan-2017)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004