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产品概述
HGTG30N60A4D 是一款 600V N 沟道 IGBT,带有反并联超高速二极管。该 SMPS 系列属于 MOS 门控高压开关 IGBT 系列。IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。具有较低的传导损耗和开关损耗,可用于设计高效可靠的系统。优化的制造工艺可更好地控制顶部结构并提高其可重复性,从而实现更严格的规格和更好的 EMI 性能。该产品用途广泛,适用于多种不同应用。
- 60ns下降时间 (TJ = 125°C)
技术规格
连续集电极电流
75A
功率耗散
463W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
集电极-发射极饱和电压
2.6V
最大集电极发射电压
600V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.005443