660W IGBT单晶体管:
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连续集电极电流
集电极-发射极饱和电压
功率耗散
最大集电极发射电压
晶体管封装类型
针脚数
工作温度最高值
晶体管安装
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY78.000 (CNY88.140)5+ CNY69.310 (CNY78.3203)10+ CNY60.620 (CNY68.5006)50+ CNY58.140 (CNY65.6982)100+ CNY55.670 (CNY62.9071)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 100A | 1.6V | 660W | 650V | TO-247 | 3引脚 | 175°C | 通孔 | - | |||||
每个 | 1+ CNY831.390 (CNY939.4707) | 最少:1 / 多个:1 | 125A | 2.4V | 660W | 3.6kV | TO-247PLUS-HV | 3引脚 | 150°C | 通孔 | BiMOSFET系列 |