660W IGBT单晶体管:

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集电极-发射极饱和电压
功率耗散
最大集电极发射电压
晶体管封装类型
针脚数
工作温度最高值
晶体管安装
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
3588810

RoHS

每个
1+
CNY78.000
(CNY88.140)
5+
CNY69.310
(CNY78.3203)
10+
CNY60.620
(CNY68.5006)
50+
CNY58.140
(CNY65.6982)
100+
CNY55.670
(CNY62.9071)
更多价格信息...
最少:1 / 多个:1
100A
1.6V
660W
650V
TO-247
3引脚
175°C
通孔
-
3930055

RoHS

每个
1+
CNY831.390
(CNY939.4707)
最少:1 / 多个:1
125A
2.4V
660W
3.6kV
TO-247PLUS-HV
3引脚
150°C
通孔
BiMOSFET系列
1-2 项,共 2 项
,共 1 页

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