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IXBX50N360HV
IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 引脚
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXBX50N360HV
库存编号3930055
产品范围BiMOSFET系列
技术数据表
连续集电极电流125A
集电极-发射极饱和电压2.4V
功率耗散660W
最大集电极发射电压3.6kV
晶体管封装类型TO-247PLUS-HV
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装通孔
产品范围BiMOSFET系列
产品概述
高压、高频 BiMOSFET™ 单片双极 MOS 晶体管，适用于开关模式和谐振模式电源、不间断电源 (UPS)、激光发生器、电容器放电电路等应用。
- 高阻断电压
- 高压封装
- 低传导损耗
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
技术规格
连续集电极电流
125A
功率耗散
660W
晶体管封装类型
TO-247PLUS-HV
工作温度最高值
150°C
产品范围
BiMOSFET系列
集电极-发射极饱和电压
2.4V
最大集电极发射电压
3.6kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001