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PBHV8140Z,115
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 1 A, 730 mW, SOT-223, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1000+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 3000+ | CNY1.420 (CNY1.6046) |
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产品概述
The PBHV8140Z,115 is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- High voltage
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- AEC-Q101 qualified
- PNP complement is PBHV9540Z
- V8140Z Marking code
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
155hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
730mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
25MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001