8位 组合存储器:

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DRAM类型
芯片功能
DRAM密度
电源电压最小值
数据总线宽度
电源电压最大值
MCP类型
集成电路封装类型
NAND / NOR 密度
IC 外壳 / 封装
针脚数
二级总线宽度
额定电源电压
时钟频率最大值
芯片安装
工作温度最小值
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
4332205

RoHS

每个
1+
CNY142.870
(CNY161.4431)
10+
CNY135.260
(CNY152.8438)
25+
CNY131.600
(CNY148.708)
50+
CNY129.090
(CNY145.8717)
100+
CNY128.090
(CNY144.7417)
合计:CNY142.87
最少:1 / 多个:1
DDR
-
64Mbit
-
8位
-
-
-
256Mbit
FBGA
24引脚
-
3V
100MHz
表面安装
-40°C
105°C
4128170

RoHS

每个
1+
CNY149.840
(CNY169.3192)
10+
CNY141.910
(CNY160.3583)
25+
CNY138.790
(CNY156.8327)
50+
CNY136.430
(CNY154.1659)
100+
CNY134.080
(CNY151.5104)
合计:CNY149.84
最少:1 / 多个:1
DDR
HyperBus MCP存储器
64Mbit
1.7V
8位
1.95V
基于 NOR 的 MCP
FBGA
512Mbit
FBGA
24引脚
8位
1.7V
166MHz
表面安装
-40°C
105°C
1-2 项,共 2 项
,共 1 页

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