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栅极驱动器:
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| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY11.360 (CNY12.8368)10+ CNY8.000 (CNY9.040)50+ CNY7.650 (CNY8.6445)100+ CNY7.310 (CNY8.2603)250+ CNY7.130 (CNY8.0569)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.3A | 3.3A | 6V | 20V | -40°C | 125°C | 85ns | 65ns | - | |||||
POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY267.750 (CNY302.5575)5+ CNY257.040 (CNY290.4552)10+ CNY246.320 (CNY278.3416)25+ CNY203.620 (CNY230.0906)50+ CNY176.380 (CNY199.3094) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 15A | 15A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 105°C | 80ns | 65ns | SCALE-2+ Series | ||||
每个 | 1+ CNY13.430 (CNY15.1759)10+ CNY11.470 (CNY12.9611)50+ CNY10.820 (CNY12.2266) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | DIP | 通孔安装 | 非反向 | 2.3A | 3.3A | 6V | 20V | -40°C | 125°C | 85ns | 65ns | - | |||||
POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY390.560 (CNY441.3328)5+ CNY374.630 (CNY423.3319)10+ CNY358.690 (CNY405.3197)25+ CNY321.020 (CNY362.7526)50+ CNY283.350 (CNY320.1855) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 8A | 8A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2+ Series | ||||
每个 | 1+ CNY18.460 (CNY20.8598)10+ CNY15.690 (CNY17.7297)25+ CNY14.500 (CNY16.385)50+ CNY14.490 (CNY16.3737)100+ CNY14.470 (CNY16.3511)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 3A | 3A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 95ns | 65ns | - | |||||
3703227 | POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY702.170 (CNY793.4521)5+ CNY677.320 (CNY765.3716)10+ CNY652.450 (CNY737.2685)25+ CNY633.890 (CNY716.2957) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 8A | 15A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2 | |||
3703226 | POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY661.330 (CNY747.3029)5+ CNY651.160 (CNY735.8108)10+ CNY640.990 (CNY724.3187)25+ CNY571.780 (CNY646.1114) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 8A | 15A | 14.5V | 15.5V | -20°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2 | |||
3703225 | POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY661.330 (CNY747.3029)5+ CNY651.160 (CNY735.8108)10+ CNY640.990 (CNY724.3187)25+ CNY580.850 (CNY656.3605) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 8A | 15A | 14.5V | 15.5V | -20°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2 | |||
POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY390.560 (CNY441.3328)5+ CNY374.930 (CNY423.6709)10+ CNY359.280 (CNY405.9864)25+ CNY312.420 (CNY353.0346)50+ CNY278.890 (CNY315.1457) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 8A | 8A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2+ Series | ||||
每个 | 1+ CNY28.460 (CNY32.1598)10+ CNY25.540 (CNY28.8602)25+ CNY24.140 (CNY27.2782)50+ CNY23.570 (CNY26.6341)100+ CNY22.990 (CNY25.9787)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 14引脚 | - | DIP | 通孔安装 | 非反向 | 3A | 3A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 95ns | 65ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY27.730 (CNY31.3349)10+ CNY19.130 (CNY21.6169)50+ CNY17.290 (CNY19.5377)200+ CNY16.380 (CNY18.5094)500+ CNY15.780 (CNY17.8314) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 16引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 3A | 3A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 95ns | 65ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 50+ CNY17.290 (CNY19.5377)200+ CNY16.380 (CNY18.5094)500+ CNY15.780 (CNY17.8314) | 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 16引脚 | WSOIC | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 3A | 3A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 95ns | 65ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY7.310 (CNY8.2603)250+ CNY7.130 (CNY8.0569)500+ CNY7.010 (CNY7.9213)1000+ CNY6.870 (CNY7.7631)2500+ CNY6.520 (CNY7.3676) | 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.3A | 3.3A | 6V | 20V | -40°C | 125°C | 85ns | 65ns | - | |||||
POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY397.070 (CNY448.6891)5+ CNY381.170 (CNY430.7221)10+ CNY365.270 (CNY412.7551)25+ CNY317.630 (CNY358.9219)50+ CNY270.140 (CNY305.2582) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT | - | - | 模块 | 通孔安装 | - | 8A | 8A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2+ Series | ||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.360 (CNY20.7468)10+ CNY16.410 (CNY18.5433)25+ CNY15.870 (CNY17.9331) | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | - | 低压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 9A | 9A | 13V | 25V | -40°C | 125°C | 75ns | 65ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 25+ CNY15.870 (CNY17.9331) | 最少：100 / 多个：1 | 1放大器 | - | 低压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | NSOIC | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 9A | 9A | 13V | 25V | -40°C | 125°C | 75ns | 65ns | - | |||||
单件（整卷供应） 整卷 包装选项 | 1000+ CNY15.470 (CNY17.4811)3000+ CNY13.530 (CNY15.2889) | 最少：1000 / 多个：1000 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 3A | 3A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 95ns | 65ns | - | |||||
单件（整卷供应） 整卷 | 2500+ CNY7.500 (CNY8.475)7500+ CNY6.560 (CNY7.4128) | 最少：2500 / 多个：2500 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相 | 2.3A | 3.3A | 6V | 20V | -40°C | 125°C | 85ns | 65ns | - | |||||
3703229 | POWER INTEGRATIONS | 每个 | 1+ CNY739.630 (CNY835.7819)5+ CNY728.240 (CNY822.9112)10+ CNY716.860 (CNY810.0518)25+ CNY598.300 (CNY676.079) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | IGBT | - | - | 模块 | 表面安装 | - | 8A | 15A | 14.5V | 15.5V | -40°C | 85°C | 75ns | 65ns | SCALE-2 | |||
每个 | 1+ CNY21.230 (CNY23.9899)10+ CNY20.390 (CNY23.0407)25+ CNY19.560 (CNY22.1028)50+ CNY18.720 (CNY21.1536)100+ CNY17.890 (CNY20.2157)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.3A | 3.3A | 6V | 20V | -40°C | 125°C | 85ns | 65ns | - | |||||
每个 | 1+ CNY16.910 (CNY19.1083)10+ CNY14.790 (CNY16.7127)50+ CNY12.270 (CNY13.8651)100+ CNY10.990 (CNY12.4187)250+ CNY10.780 (CNY12.1814)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | Low Side | MOSFET | 8引脚 | - | DIP | Through Hole | Inverting | 2.3A | 3.3A | 6V | 20V | -40°C | 125°C | 85ns | 65ns | - | |||||
