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栅极驱动器:
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| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY34.820 (CNY39.3466)10+ CNY23.220 (CNY26.2386)25+ CNY21.460 (CNY24.2498)50+ CNY20.030 (CNY22.6339)100+ CNY18.590 (CNY21.0067)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | - | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 8.5A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 150°C | 85ns | 85ns | EiceDRIVER 1ED332xMC12N系列 | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY18.590 (CNY21.0067)250+ CNY17.710 (CNY20.0123)500+ CNY15.880 (CNY17.9444)1000+ CNY13.220 (CNY14.9386) | 最少：100 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 8.5A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 150°C | 85ns | 85ns | EiceDRIVER 1ED332xMC12N系列 | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY45.340 (CNY51.2342)10+ CNY33.850 (CNY38.2505)25+ CNY31.430 (CNY35.5159)50+ CNY29.630 (CNY33.4819)100+ CNY27.820 (CNY31.4366)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | PWM | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | |||||
2492225 RoHS | TEXAS INSTRUMENTS | 每个 | 1+ CNY41.730 (CNY47.1549)10+ CNY32.360 (CNY36.5668)25+ CNY30.160 (CNY34.0808)50+ CNY23.000 (CNY25.990)100+ CNY21.850 (CNY24.6905)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | 半桥 | MOSFET | 12引脚 | - | DSBGA | 表面安装 | 非反向 | 1.2A | 5A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 28ns | 26.5ns | - | - | |||
每个 | 1+ CNY35.620 (CNY40.2506)10+ CNY30.180 (CNY34.1034)25+ CNY26.190 (CNY29.5947)100+ CNY22.190 (CNY25.0747)300+ CNY20.170 (CNY22.7921)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 35ns | 35ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY40.060 (CNY45.2678)10+ CNY28.720 (CNY32.4536)98+ CNY27.410 (CNY30.9733)196+ CNY26.110 (CNY29.5043)294+ CNY25.850 (CNY29.2105)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 0 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | CMOS | 4A | 4A | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 46ns | 46ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY31.130 (CNY35.1769)10+ CNY23.990 (CNY27.1087) | 最少：1 / 多个：1 | 8放大器 | - | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 28引脚 | - | PowerSSO | 表面安装 | PWM | 100µA | 100µA | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 20µs | 100µs | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.090 (CNY3.4917)500+ CNY2.880 (CNY3.2544) | 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | - | 半桥 | MOSFET | 8引脚 | VQFN3030 | VQFN3030 | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 3A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 16ns | 17ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.430 (CNY6.1359)10+ CNY4.480 (CNY5.0624)100+ CNY3.090 (CNY3.4917)500+ CNY2.880 (CNY3.2544) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | 半桥 | MOSFET | 8引脚 | - | VQFN3030 | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 3A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 16ns | 17ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 10+ CNY23.990 (CNY27.1087) | 最少：100 / 多个：1 | 8放大器 | - | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 28引脚 | PowerSSO | PowerSSO | 表面安装 | PWM | 100µA | 100µA | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 20µs | 100µs | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY31.960 (CNY36.1148)10+ CNY24.200 (CNY27.346)25+ CNY22.330 (CNY25.2329)50+ CNY21.220 (CNY23.9786)100+ CNY20.100 (CNY22.713)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | - | - | GaN HEMT | 6引脚 | - | SSON-EP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 7A | 5A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 3.4ns | 3ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY20.100 (CNY22.713)250+ CNY19.560 (CNY22.1028)500+ CNY19.020 (CNY21.4926)1000+ CNY18.480 (CNY20.8824) | 最少：100 / 多个：1 | 1放大器 | - | - | GaN HEMT | 6引脚 | - | SSON-EP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 7A | 5A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 3.4ns | 3ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY13.900 (CNY15.707)25+ CNY11.470 (CNY12.9611)100+ CNY10.520 (CNY11.8876) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2A | 2A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 85°C | 18ns | 15ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY18.230 (CNY20.5999)10+ CNY12.480 (CNY14.1024)50+ CNY11.850 (CNY13.3905)100+ CNY11.200 (CNY12.656)250+ CNY11.110 (CNY12.5543)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | TSSOP | 表面安装 | 反相 | - | - | 2.7V | 5.5V | -40°C | 85°C | 14.1ns | 12.1ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY41.190 (CNY46.5447)10+ CNY27.320 (CNY30.8716)25+ CNY25.910 (CNY29.2783)50+ CNY25.350 (CNY28.6455) | 最少：1 / 多个：1 | - | - | 半桥 | MOSFET | 48引脚 | - | LQFP | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 90ns | 90ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY39.080 (CNY44.1604)10+ CNY29.750 (CNY33.6175)50+ CNY27.700 (CNY31.301)200+ CNY26.740 (CNY30.2162)500+ CNY26.720 (CNY30.1936) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 36引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 2A | 2A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | - | - | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY43.090 (CNY48.6917)10+ CNY36.520 (CNY41.2676)25+ CNY35.100 (CNY39.663)50+ CNY34.320 (CNY38.7816)100+ CNY33.530 (CNY37.8889)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | - | - | 4.5V | 5.5V | -40°C | 150°C | - | - | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY75.120 (CNY84.8856)10+ CNY66.010 (CNY74.5913)25+ CNY62.200 (CNY70.286)50+ CNY60.830 (CNY68.7379)100+ CNY59.440 (CNY67.1672)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | IGBT | 36引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 2.4A | 2.4A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | - | - | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY47.790 (CNY54.0027)10+ CNY36.520 (CNY41.2676)25+ CNY33.690 (CNY38.0697)50+ CNY32.110 (CNY36.2843)100+ CNY30.540 (CNY34.5102)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | |||||
每个 | 1+ CNY15.430 (CNY17.4359)25+ CNY12.710 (CNY14.3623)100+ CNY11.680 (CNY13.1984) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2A | 2A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 27ns | 27ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY25.390 (CNY28.6907)10+ CNY19.120 (CNY21.6056)25+ CNY17.560 (CNY19.8428)50+ CNY16.700 (CNY18.871)100+ CNY15.840 (CNY17.8992)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | WSOP | 表面安装 | - | - | - | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 50ns | 50ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.710 (CNY16.6223)10+ CNY10.400 (CNY11.752)50+ CNY9.860 (CNY11.1418)100+ CNY9.500 (CNY10.735) | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | - | 半桥 | MOSFET | 31引脚 | - | PowerPAK MLP55 | 表面安装 | 逻辑器件 | - | - | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 10ns | 15ns | VRPower | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY25.550 (CNY28.8715)10+ CNY19.260 (CNY21.7638)25+ CNY19.140 (CNY21.6282)50+ CNY19.020 (CNY21.4926)100+ CNY18.900 (CNY21.357)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | SiC MOSFET | 36引脚 | - | SO-36W | 表面安装 | 反相 | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 125°C | 75ns | 75ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.810 (CNY21.2553)10+ CNY16.870 (CNY19.0631) | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -50°C | 150°C | 75ns | 75ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.080 (CNY20.4304)25+ CNY15.140 (CNY17.1082)100+ CNY15.110 (CNY17.0743)3300+ CNY15.080 (CNY17.0404) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | - | - | 3.15V | 5.5V | -40°C | 85°C | 50ns | 150µs | - | - | |||||
