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C2M0080120D
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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| 1+ | CNY216.650 (CNY244.8145) |
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| 10+ | CNY201.670 (CNY227.8871) |
| 50+ | CNY194.180 (CNY219.4234) |
| 100+ | CNY186.690 (CNY210.9597) |
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产品信息
制造商WOLFSPEED
制造商产品编号C2M0080120D
库存编号2361496
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续31.6A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3.2V
功率耗散208W
工作温度最高值150°C
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2019)
产品概述
Cree品牌的C2M0080120D是一款第二代Z-FET通孔N沟道碳化硅功率MOSFET, TO-247封装. 该MOSFET采用C2M SiC MOSFET技术, 具有高阻断电压, 低导通电阻值, 高速开关, 低电容值, 易于并联且驱动简单, 具有雪崩耐受性, 抗闭锁性能, 更高的系统效率, 低冷却要求以及更高的功率密度. 应用包括太阳能逆变器, 开关模式电源, 高压DC-DC转换器与电池充电器.
- 漏极至源极电压 (Vds): 1.2kV
- 连续漏极电流: 36A
- 功耗 192W
- 工作结温为 -55°C 至 150°C
- Vgs 为 20V 时，导通电阻低至 80mohm
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
31.6A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
3.2V
工作温度最高值
150°C
MSL
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
208W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2019)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008777