您已在下面突出显示的字段中输入包含无效字符的值。 请仅使用有效字符修改您的选择。
产品可能与您的搜索条件并不完全匹配
您买过此产品。
在订单历史记录中查看
C2M1000170D
碳化硅MOSFET, 单, N沟道, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
产品概述
Cree品牌的C2M1000170D是一款第二代Z-FET通孔N沟道碳化硅功率MOSFET, To-247封装. 该MOSFET采用C2M SiC MOSFET技术, 具有高阻断电压, 低导通电阻值, 高速开关, 低电容值, 易于并联并且驱动简单, 具有雪崩耐受性, 超低漏极栅极电容, 高系统效率, 低散热要求, 以及更高的系统可靠性. 应用包括辅助电源, 开关模式电源和高压容性负载.
- 漏极至源极电压(Vds): 1.7kV
- 连续漏电流: 5A
- 功耗: 69W
- 结温范围: -55°C至150°C
- Vgs为20V时, 低导通电阻值1ohm
应用
电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
产品信息
技术文档 (2)
CAD 下载
--请选择...
✔
--请选择...
×
条款
CAD Models - Notice
CAD Models and drawings are provided to you on a revocable limited licence for your internal use only but remain the property of the manufacturer who retain all intellectual property rights and ownership. They are provided to assist you in decision making and as design guide but are not guaranteed to be error free, accurate or up to date and is not intended to be taken as advice.
Use of these CAD models and other options provided are downloaded and used entirely at your own risk and by continuing you confirm acceptance of the above.
畅销品
可延期交货
由于市场条件的影响，交货时间仅供一般指导，可能会在短时间内发生变化
筛选器工具