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C2M1000170D
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
产品概述
Cree品牌的C2M1000170D是一款第二代Z-FET通孔N沟道碳化硅功率MOSFET, To-247封装. 该MOSFET采用C2M SiC MOSFET技术, 具有高阻断电压, 低导通电阻值, 高速开关, 低电容值, 易于并联并且驱动简单, 具有雪崩耐受性, 超低漏极栅极电容, 高系统效率, 低散热要求, 以及更高的系统可靠性. 应用包括辅助电源, 开关模式电源和高压容性负载.
- 漏极至源极电压(Vds): 1.7kV
- 连续漏电流: 5A
- 功耗: 69W
- 结温范围: -55°C至150°C
- Vgs为20V时, 低导通电阻值1ohm
应用
电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业
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产品信息
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- 1+
- 10+
- 30+
- 120+
- 270+
- 510+
- 1020+
| 数量 | 价钱 (不含税) (含税) | 您所支付金额 (不含税) |
|---|---|---|
| 1+ | CNY70.20 CNY79.326 | ( ) |
| 10+ | CNY63.46 CNY71.7098 | ( ) |
| 30+ | CNY60.54 CNY68.4102 | ( ) |
| 120+ | CNY52.52 CNY59.3476 | ( ) |
| 270+ | CNY50.13 CNY56.6469 | ( ) |
| 510+ | CNY45.71 CNY51.6523 | ( ) |
| 1020+ | CNY42.13 CNY47.6069 | ( ) |
| 数量 | 价钱 (不含税) (含税) | 您所支付金额 (不含税) |
|---|
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