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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62128ELL-45SXI
库存编号1650060
也称为SP005641773, CY62128ELL-45SXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度1Mbit
记忆配置128K x 8位
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数32引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY62128ELL-45SXI 是一款1MB高性能CMOS静态随机访问存储器 (SRAM), 128K word x 8-bit结构。该器件采用先进的设计, 具有超低工作电流。这种设计提供更长的电池寿命™ (MoBL®), 非常适合便携式应用。该器件还具有自动关断功能, 在地址不改动时降低功耗。该器件的待机模式可将功耗降低99%。如果器件处于未导通状态, 8个输入和输出引脚处于高阻抗状态, 输出禁用, 或写入操作。写入操作, 请将芯片启用和写入启用设置为LOW。读取操作, 芯片启用和输出启用设置为LOW, 同时将写入启用设置为HIGH。在这种情况下, 地址引脚指定的存储单元可在I/O引脚上读取。
- 高速 - 45ns
- 引脚与CY62128B兼容
- 低待机功率
- 超低功率
- CE1, CE2和OE, 轻松扩展存储器
- 在不被选择时, 自动关断
- CMOS实现最佳速度/功率
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
128K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
SOIC
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002963