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CY62148ELL-55SXIT
SRAM, 异步SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, SOIC, 32 引脚, 4.5 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY53.840 (CNY60.8392) |
| 10+ | CNY50.400 (CNY56.952) |
| 25+ | CNY48.840 (CNY55.1892) |
| 50+ | CNY48.820 (CNY55.1666) |
| 100+ | CNY48.800 (CNY55.144) |
| 250+ | CNY48.780 (CNY55.1214) |
包装规格：每个
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62148ELL-55SXIT
库存编号2767917
也称为SP005647705, CY62148ELL-55SXIT
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数32引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY62148ELL-55SXIT 是一款高性能 CMOS、4-Mbit（512K × 8）静态 RAM，按 8 位 512K 字组织。该器件采用先进的电路设计，可提供超低待机电流。这非常适合在便携式应用中提供更长的电池寿命™ (MoBL®)。该器件还具有自动掉电功能，在地址不切换时可显著降低功耗。当取消选择（低电平 CE 高电平有效）时，将器件置于待机模式可将功耗降低 99% 以上。当器件取消选择（低电平 CE HIGH）、禁用输出（低电平 OE HIGH）或执行主动写操作（低电平 CE LOW 和 WE LOW）时，八个输入和输出引脚（I/O0 至 I/O7）将处于高阻抗状态。应用包括智能报警系统。
- VCC 范围为 4.5 至 5.5V，速度为 45ns
- 工作 ICC 范围为 3.5mA（典型值，f=1MHz，VCC=VCC（典型值），TA=25°C）
- 待机 ISB2 为 2.5µA（典型值，VCC=VCC（典型值），TA=25°C）
- 与CY62148B引脚兼容
- 在f=1MHz 时，典型有效电流为 3.5mA
- 利用低电平有效 CE 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 在不被选择时, 自动关断
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- 输入和输出电容最大为 10pF（TA=25°C，f=1MHz，VCC=VCC（典型值）
- 32 引脚 SOIC 封装，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
512K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
SOIC
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.b
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536