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CY7C1041G30-10BVXI
SRAM, 异步SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, VFBGA, 48 引脚, 2.2 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 10+ | CNY66.900 (CNY75.597) |
| 25+ | CNY55.430 (CNY62.6359) |
| 50+ | CNY49.700 (CNY56.161) |
| 100+ | CNY45.870 (CNY51.8331) |
| 250+ | CNY42.810 (CNY48.3753) |
| 500+ | CNY40.520 (CNY45.7876) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY7C1041G30-10BVXI
库存编号3018590
也称为SP005647901, CY7C1041G30-10BVXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置256K x 16位
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数48引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY7C1041G30-10BVXI is a high-performance CMOS fast static RAM device with embedded ECC.
- 2.2V to 3.6V voltage rating
- 10ns high speed
- 1V data retention
- TTL-compatible inputs and outputs
- 4Mbit density and 256K x 16 organization (X x Y)
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
- 48-ball VFBGA (6 x 8 x 1.0mm)
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
256K x 16位
针脚数
48引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
VFBGA
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001