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CY7C1061GE30-10ZSXI
SRAM, 异步SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, TSOP-II, 54 引脚, 2.2 V
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY7C1061GE30-10ZSXI
库存编号2932649
也称为SP005641463, CY7C1061GE30-10ZSXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度16Mbit
记忆配置1M x 16bit
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数54引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY7C1061GE30-10ZSXI 是一款带嵌入式 ECC 的高性能 CMOS 快速静态 RAM 器件。该器件提供单、双芯片使能选项和多种引脚配置。CY7C1061GE 器件包含一个ERR 引脚，用于在读取周期中发出单位错误检测和纠正事件信号。要访问具有单芯片使能输入的器件，请将芯片使能（低电平有效 CE）输入置低。要访问双芯片使能设备，则同时将两个芯片使能输入（低电平有效的 CE1 为低电平，CE2 为高电平）置位。要执行数据写入，请将写使能（低电平有效 WE）输入置低，并分别在设备数据引脚（I/O0 至 I/O15）和地址引脚（A0 至 A19）上提供数据和地址。字节高电平使能（低电平有效，BHE）和字节低电平使能（低电平有效，BLE）输入控制字节写入，并将数据写入相应的 I/O 线路到指定的内存位置。低电平有效 BHE 控制 I/O8 至 I/O15，低电平有效 BLE 控制 I/O0 至 I/O7。
- 电压范围为 2.2V 至 3.6V，速度为 10ns
- 嵌入式纠错码 (ECC)，用于单比特纠错
- 工作 ICC 范围为 90mA（典型值，f=fmax.，TA=25°C，VCC=3V）
- CE 自动掉电电流 - CMOS 输入为 20mA（典型值，最大 VCC，0.2V）
- 1.0V 数据保持、晶体管晶体管逻辑 (TTL) 兼容输入和输出
- 错误指示 (ERR) 引脚用于指示 1 位错误检测和纠正
- 输入电容为 10pF（TA=25°C，f=1MHz，VCC=VCC（典型值）
- I/O 电容为 10pF（TA=25°C，f=1MHz，VCC=VCC（典型值）
- 数据保持 VCC 最低为 1V（-40°C 至 85°C）
- 54 引脚 TSOP II 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
1M x 16bit
针脚数
54引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
16Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007983