打印页面
S29GL512S11TFIV10
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
159 有货
需要更多？
159 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY76.770 (CNY86.7501) |
| 10+ | CNY71.690 (CNY81.0097) |
| 25+ | CNY69.300 (CNY78.309) |
| 50+ | CNY66.610 (CNY75.2693) |
| 100+ | CNY65.500 (CNY74.015) |
| 250+ | CNY64.280 (CNY72.6364) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY76.77 (CNY86.75 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S29GL512S11TFIV10
库存编号3018608
也称为SP005670809, S29GL512S11TFIV10
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度512Mbit
记忆配置64M x 8位
接口CFI, 并行
IC 外壳 / 封装TSOP
针脚数56引脚
时钟频率最大值-
存取时间110ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
S29GL512S11TFIV10 是一款采用 65 nm工艺技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存。它的页面访问时间快至 15ns，相应的随机访问时间快至 90ns。它具有一个写入缓冲器，一次操作最多可对 256 个字/512 个字节进行编程，因此有效编程时间比标准编程算法更快。因此，该器件非常适合当今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式应用。
- 110ns 随机存取速度，带多功能 I/O 的 3.0V CMOS 内核
- VIO=1.65V 至 VCC，VCC=2.7V 至 3.6V，最高地址扇区受保护
- 读取/编程/擦除使用单电源（VCC）（2.7V 至 3.6V）
- 多功能 I/O 功能 - 宽 I/O 电压范围 (VIO) 1.65V 至 VCC
- ×16 数据总线，异步 32 字节页面读取
- 自动错误检查和纠正 (ECC) 内部硬件 ECC，具有单位错误纠正功能
- 暂停与恢复命令, 用于编程与擦除操作
- 采用状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定设备状态
- 100,000 次编程/擦除循环，20 年数据保存期
- TSOP 封装，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
64M x 8位
IC 外壳 / 封装
TSOP
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
512Mbit
接口
CFI, 并行
针脚数
56引脚
存取时间
110ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907