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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSP75GTA
库存编号1251243RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续1.4A
漏源接通状态电阻0.55ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散2.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
BSP75G 是 IntelliFET™ N 沟道自保护低端 MOSFET,具有单片过温、过流、过压(主动钳位)和 ESD 保护逻辑电平功率 MOSFET,可用作通用开关。
- 短路保护,自动重启
- 过压保护(主动钳位)
- 过热关断, 带自动重启
- 过流保护
- 输入保护 (ESD)
- 高额定连续电流
- 负载转储保护(主动保护负载)
- 逻辑电平输入
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
注释
接头连接至漏极引脚, 并且必须与源极引脚电隔离. 为了获得最佳的散热性能, 建议将重要铜连接至标卡.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.4A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.55ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00014