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BSS84DW-7-F
双路场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 130 mA
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| 100+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 500+ | CNY0.904 (CNY1.0215) |
| 1500+ | CNY0.886 (CNY1.0012) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSS84DW-7-F
库存编号1713835
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道50V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道130mA
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道10ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BSS84DW-7-F is a dual P-channel enhancement-mode MOSFET been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance. It is ideal for general purpose interfacing switch and analogue switch applications.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching performance
- Halogen-free
- UL94V-0 Flammability rating
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
130mA
漏源导通电阻P沟道
10ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006