DGD0211CWT-7

DGD0211CWT-7 是一款高速/低端 MOSFET 和 IGBT 驱动器。它能够驱动 1.9A 的峰值电流。DGD0211C 逻辑输入兼容标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3V），可轻松与 MCU 连接。DGD0211C 提供非反相和反相输入。DGD0211C 的快速传播时间典型值为 35ns，上升/下降时间典型值为 15ns，因此非常适合开关模式电源和 PFC 电路等高速应用。典型应用包括 DC-DC 转换器、线路驱动器、电机控制和开关模式电源。

• 驱动 MOSFET 和 IGBT 的高效低成本解决方案
• 宽电源电压工作范围：4.5V 至 18V
• 非反相和反相输入配置
• 在 VIN=3V、VIN*=0V、TA=+25°C 时，逻辑 "1" 输入偏置电流为 5µA
• 在VIN=0V 或 3V，TA=+25°C时，静态VCC电源电流为 50µA（典型值）
• 在 VBIAS（VCC、VBS）=12V、TA=+25°C 时，输出反向电流耐压为 250mA（典型值）
• 在 CL=1000pF, VCC=12V, TA=+25°C 时，导通/关断上升时间为 15ns（典型值）
• 在 VCC=12V、TA=+25°C 时，导通/关断传播延迟为 35ns（典型值）
• TSOT25（TH 型）封装
• 温度范围: -40°C到+125°C