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DMC1018UPDWQ-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 12 V, 12 V, 31.3 A, 31.3 A, 0.0096 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC1018UPDWQ-13
库存编号3828397RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续31.3A
漏源电压Vds P沟道12V
在电阻RDS（上）0.0096ohm
连续漏极电流 Id N沟道31.3A
连续漏极电流 Id P沟道31.3A
漏源通态电阻N沟道0.0096ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.0096ohm
晶体管封装类型PowerDI5060
阈值栅源电压最大值800mV
针脚数8引脚
功耗 Pd25W
耗散功率N沟道25W
耗散功率P沟道25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
12V
电流, Id 连续
31.3A
在电阻RDS（上）
0.0096ohm
连续漏极电流 Id P沟道
31.3A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0096ohm
阈值栅源电压最大值
800mV
功耗 Pd
25W
耗散功率P沟道
25W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
31.3A
漏源通态电阻N沟道
0.0096ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
PowerDI5060
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
25W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001