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DMC2038LVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2038LVT-7
库存编号3127305RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3.7A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.027ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.7A
连续漏极电流 Id P沟道2.6A
漏源通态电阻N沟道0.035ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.074ohm
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd800mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道800mW
耗散功率P沟道800mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
3.7A
在电阻RDS（上）
0.027ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.6A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.074ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
800mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.7A
漏源通态电阻N沟道
0.035ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSOT-26
功耗 Pd
800mW
耗散功率N沟道
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536