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DMC2057UVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 10+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
| 100+ | CNY1.610 (CNY1.8193) |
| 500+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
| 1000+ | CNY0.913 (CNY1.0317) |
| 5000+ | CNY0.652 (CNY0.7368) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2057UVT-7
库存编号3944026
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.042ohm
漏源导通电阻P沟道0.07ohm
晶体管封装类型TSOT-26
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.07ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.042ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001