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DMC2400UV-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 1.03 A, 700 mA, 0.48 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2400UV-7
库存编号2543523
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道1.03A
连续漏极电流 Id P沟道700mA
漏源通态电阻N沟道0.48ohm
漏源导通电阻P沟道0.97ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道450mW
耗散功率P沟道450mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
这款新一代发生器MOSFET设计具有低导通电阻, 同时保持优异的开关性能, 非常适合高效电源管理应用。
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 互补对MOSFET
- 超小型表面安装封装
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
700mA
漏源导通电阻P沟道
0.97ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
450mW
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.03A
漏源通态电阻N沟道
0.48ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
450mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145