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DMC2400UV-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 1.03 A, 700 mA, 0.48 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2400UV-7
库存编号2543523
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道1.03A
连续漏极电流 Id P沟道700mA
漏源通态电阻N沟道0.48ohm
漏源导通电阻P沟道0.97ohm
晶体管封装类型SOT-563
针脚数6引脚
耗散功率N沟道450mW
耗散功率P沟道450mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMC2400UV-7是一款采用6引脚SOT-563封装的互补对增强型MOSFET。新一代MOSFET通过优化设计显著降低导通电阻(RDS(ON))，同时保持卓越开关性能，适用于高效率电源管理应用。典型应用包括电源管理功能、电池供电系统、固态继电器及负载开关。
- 漏源电压为20V，栅源电压为±12V
- 脉冲漏极电流为3A，外壳二极管最大连续电流为800mA
- 低导通电阻
- 低门阈值电压VGS(TH)小于1V
- 低输入电容
- 快速切换速度，低输入/输出泄漏
- 总功耗为0.45W
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
700mA
漏源导通电阻P沟道
0.97ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
450mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.03A
漏源通态电阻N沟道
0.48ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
450mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145