打印页面
DMC3016LDV-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
1,525 有货
需要更多？
1525 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 10+ | CNY4.890 (CNY5.5257) |
| 100+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
| 500+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 1000+ | CNY2.190 (CNY2.4747) |
| 5000+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY7.86 (CNY8.88 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC3016LDV-13
库存编号3944035
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道21A
连续漏极电流 Id P沟道21A
漏源通态电阻N沟道0.012ohm
漏源导通电阻P沟道0.025ohm
晶体管封装类型PowerDI3333
针脚数8引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道900mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
21A
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
900mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
21A
漏源通态电阻N沟道
0.012ohm
晶体管封装类型
PowerDI3333
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001