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DMC3016LDV-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 9500 µohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC3016LDV-7
库存编号2709538RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续21A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.0095ohm
连续漏极电流 Id N沟道21A
连续漏极电流 Id P沟道21A
漏源通态电阻N沟道9500µohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道9500µohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
晶体管封装类型PowerDI3333
功耗 Pd900mW
针脚数8引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道900mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
21A
在电阻RDS（上）
0.0095ohm
连续漏极电流 Id P沟道
21A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerDI3333
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
900mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
21A
漏源通态电阻N沟道
9500µohm
漏源导通电阻P沟道
9500µohm
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
900mW
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000034