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技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
6.5A
漏源导通电阻P沟道
0.018ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.8W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
6.5A
漏源通态电阻N沟道
0.018ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001