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DMC6040SSD-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC6040SSD-13
库存编号3405232RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续5.1A
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.1A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd1.24W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.24W
耗散功率P沟道1.24W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
连续漏极电流 Id P沟道
5.1A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.24W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
5.1A
在电阻RDS（上）
0.033ohm
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
1.24W
耗散功率N沟道
1.24W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002