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DMG1016UDW-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.825 (CNY0.9322) |
| 50+ | CNY0.640 (CNY0.7232) |
| 100+ | CNY0.447 (CNY0.5051) |
| 500+ | CNY0.380 (CNY0.4294) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1016UDW-7
库存编号2543527
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道845mA
连续漏极电流 Id P沟道845mA
漏源通态电阻N沟道0.3ohm
漏源导通电阻P沟道0.3ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道330mW
耗散功率P沟道330mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
845mA
漏源导通电阻P沟道
0.3ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
330mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
845mA
漏源通态电阻N沟道
0.3ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005