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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG2302UK-7
库存编号3127315
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2.8A
漏源接通状态电阻0.09ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散660mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMG2302UK-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, and motor control.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±12V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 2.8A at TA=+25°C, steady state, VGS=4.5V
- Pulsed drain current (10µS pulse, duty cycle=1%) is 12A at TA=+25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 1.1A at TA=+25°C
- Total power dissipation is 0.66W
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.8A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
660mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.09ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
DMG2302UK-7 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000145