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DMG2305UX-13
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG2305UX-13
库存编号2543532
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4.2A
漏源接通状态电阻0.052ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散1.4W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMG2305UX-13 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用 3 引脚 SOT23 封装。该 MOSFET 设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括背光、电源管理功能、DC-DC 转换器和电机控制。
- 电源电压为 -20V
- 静态漏源导通电阻为 100 mohm（VGS = -2.5V，ID = -3.4A）
- 栅极-源极电压为 ±8V
- 脉冲漏极电流为 -15A
- 功耗: 1.4W
- 工作温度范围 -55 至 +150°C
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.052ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000635