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DMG2305UX-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 1500+ | CNY0.417 (CNY0.4712) |
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| 7500+ | CNY0.376 (CNY0.4249) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG2305UX-7
库存编号2543533RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4.2A
漏源接通状态电阻0.052ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散1.4W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMG2305UX-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(on)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, motor controls.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed
- Drain-source voltage is -20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA=+25°C
- Continuous drain current is -4.2A at TA=+25°C, VGS = -4.5V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -15A at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 40mohm typ at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- Gate threshold voltage is -0.9V max at VDS = VGS, ID = -250µA, TA = +25°C
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.052ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000059