DMG3406L-7

DMG3406L-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET。该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。典型应用包括电池充电、电源管理功能、DC-DC 转换器和便携式电源适配器。

• 低导通电阻、低输入电容
• 开关速度快，输入/输出漏电低
• 在TA = +25°C 时，漏极至源极电压为 30V
• 在TA=+25°C 时，栅源电压为 ±20V
• 在TA=+25°C，稳态，VGS=10V时，连续漏极电流为 3.6A
• 在TA=+25°C 时，脉冲漏极电流（脉冲宽度 ≤ 10µS，占空比 ≤ 1%）为 30A
• 在TA=+25°C 时，最大体二极管正向电流为 1.4A
• 功耗: 0.77W
• SOT23 外壳
• 工作和存储温度范围为 -55 至 +150°C

警告

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