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DMG6602SVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG6602SVT-7
库存编号3127319RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续3.4A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3.4A
在电阻RDS（上）0.038ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.038ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.038ohm
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值2.3V
功耗 Pd840mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道840mW
耗散功率P沟道840mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
3.4A
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
连续漏极电流 Id P沟道
3.4A
漏源通态电阻N沟道
0.038ohm
漏源导通电阻P沟道
0.038ohm
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
840mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.038ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TSOT-26
功耗 Pd
840mW
耗散功率N沟道
840mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121