打印页面
DMG6898LSD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.016 ohm
1,865 有货
需要更多？
1865 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.400 (CNY8.362) |
| 10+ | CNY4.610 (CNY5.2093) |
| 100+ | CNY3.010 (CNY3.4013) |
| 500+ | CNY2.320 (CNY2.6216) |
| 1000+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 5000+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY7.40 (CNY8.36 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG6898LSD-13
库存编号3944068
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道9.5A
连续漏极电流 Id P沟道9.5A
漏源通态电阻N沟道0.016ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.28W
耗散功率P沟道1.28W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
9.5A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.28W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
9.5A
漏源通态电阻N沟道
0.016ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.28W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001