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DMG6968UTS-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.018 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG6968UTS-13
库存编号3944071RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续5.2A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.018ohm
连续漏极电流 Id N沟道5.2A
连续漏极电流 Id P沟道5.2A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.018ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.018ohm
阈值栅源电压最大值950mV
晶体管封装类型TSSOP
功耗 Pd1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
5.2A
在电阻RDS（上）
0.018ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5.2A
漏源通态电阻N沟道
0.018ohm
漏源导通电阻P沟道
0.018ohm
晶体管封装类型
TSSOP
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.2A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
950mV
功耗 Pd
1W
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001