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DMG7430LFG-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 10.5 A, 0.007 ohm, PowerDI 3333, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
| 10+ | CNY1.530 (CNY1.7289) |
| 100+ | CNY0.948 (CNY1.0712) |
| 500+ | CNY0.941 (CNY1.0633) |
| 1000+ | CNY0.933 (CNY1.0543) |
| 5000+ | CNY0.925 (CNY1.0452) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG7430LFG-7
库存编号3127322
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续10.5A
漏源接通状态电阻0.007ohm
晶体管封装类型PowerDI 3333
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散900mW
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10.5A
晶体管封装类型
PowerDI 3333
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.007ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121